Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IPB65R
- RS-varenummer:
- 222-4896
- Producentens varenummer:
- IPB65R045C7ATMA2
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 28.221,00
(ekskl. moms)
Kr. 35.276,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 28,221 | Kr. 28.221,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4896
- Producentens varenummer:
- IPB65R045C7ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IPB65R | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IPB65R | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET-serien er et revolutionerende fremskridt inden for teknologi, der giver verdens laveste RDS(on)/pakke og, takket være de lave skiftetab, effektivitetsforbedringer over hele belastningsområdet.
Forbedret sikkerhedsmargen og velegnet til både SMPS og solcellesystemer
Laveste ledningstab/pakke
Lave koblingstab
Bedre effektivitet ved let belastning
Forøgelse af effekttæthed
Enestående CoolMOS™-kvalitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-263, IPB65R
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-263, IPB65R
- Infineon Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 57.2 A 650 V Forbedring CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 31.2 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247, CoolSiC