Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP60R AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 64,18

(ekskl. moms)

Kr. 80,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 398 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 64,18
10 - 24Kr. 60,96
25 - 49Kr. 58,42
50 - 99Kr. 55,80
100 +Kr. 51,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4924
Producentens varenummer:
IPP60R022S7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPP60R

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

150nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

390W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.36mm

Bredde

4.57 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.45mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet er optimeret til lavt ledningstab, og 600 V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET (IPP60R022S7) i TO-220 har den bedste RDS(on)x-pris til anvendelser med lav switching-frekvens, f.eks. aktive brokoblede ensrettere, invertertrin, in-Rush-relæer, PLC'er, HV DC-linjer, solid state effektrelæer og solid state automatsikringer. 600 V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET opnår højere energieffektivitet og reducerer BOM-udgifter.

Minimer ledningstab

Øg energieffektiviteten

Mere kompakte og nemmere design

Fjern eller reducer kølelegemet i solid state-design

Lavere samlede ejeromkostninger (TCO) eller materialeomkostninger (BOM)

Relaterede links