Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP60R AEC-Q101 IPP60R022S7XKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 72,50

(ekskl. moms)

Kr. 90,62

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 398 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 72,50
10 - 24Kr. 68,89
25 - 49Kr. 65,97
50 - 99Kr. 63,06
100 +Kr. 58,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4924
Producentens varenummer:
IPP60R022S7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPP60R

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

150nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Effektafsættelse maks. Pd

390W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.57 mm

Længde

10.36mm

Højde

9.45mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet er optimeret til lavt ledningstab, og 600 V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET (IPP60R022S7) i TO-220 har den bedste RDS(on)x-pris til anvendelser med lav switching-frekvens, f.eks. aktive brokoblede ensrettere, invertertrin, in-Rush-relæer, PLC'er, HV DC-linjer, solid state effektrelæer og solid state automatsikringer. 600 V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET opnår højere energieffektivitet og reducerer BOM-udgifter.

Minimer ledningstab

Øg energieffektiviteten

Mere kompakte og nemmere design

Fjern eller reducer kølelegemet i solid state-design

Lavere samlede ejeromkostninger (TCO) eller materialeomkostninger (BOM)

Relaterede links