Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 345 A 60 V, 8 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 223-8454
- Producentens varenummer:
- AUIRF7749L2TR
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 223-8454
- Producentens varenummer:
- AUIRF7749L2TR
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 345A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 183nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 341W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 60 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 345A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 183nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 341W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 60 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 1-kanals HEXFET effekt MOSFET er designet til anvendelser, hvor effektivitet og effekttæthed er af værdi. Den Advanced DirectFET-pakkeplatform kombineret med den nyeste siliciumteknologi giver denne MOSFET mulighed for at give betydelige besparelser på systemniveau og forbedring af ydeevnen, specielt i motordrev, DC-DC og andre krævende anvendelser.
Advanced Process
Usædvanligt lille bundareal og lav profil
Høj effekttæthed
Lave parasitiske parametre
Dobbeltsidet køling
175 °C driftstemperatur
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
Godkendt til brug i køretøjer
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 345 A 60 V DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 160 A 75 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 112 A 40 V Forbedring DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 68 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 40 V HEXFET
