Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 345 A 60 V, 8 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101 AUIRF7749L2TR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 103,16

(ekskl. moms)

Kr. 128,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.828 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 51,58Kr. 103,16
10 - 18Kr. 46,415Kr. 92,83
20 - 48Kr. 43,345Kr. 86,69
50 - 98Kr. 40,765Kr. 81,53
100 +Kr. 37,66Kr. 75,32

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
223-8455
Producentens varenummer:
AUIRF7749L2TR
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

345A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

DirectFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.5mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

341W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

183nC

Portkildespænding maks.

60 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon 1-kanals HEXFET effekt MOSFET er designet til anvendelser, hvor effektivitet og effekttæthed er af værdi. Den Advanced DirectFET-pakkeplatform kombineret med den nyeste siliciumteknologi giver denne MOSFET mulighed for at give betydelige besparelser på systemniveau og forbedring af ydeevnen, specielt i motordrev, DC-DC og andre krævende anvendelser.

Advanced Process

Usædvanligt lille bundareal og lav profil

Høj effekttæthed

Lave parasitiske parametre

Dobbeltsidet køling

175 °C driftstemperatur

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri

Godkendt til brug i køretøjer

Relaterede links