Vishay N-Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E
- RS-varenummer:
- 228-2881
- Producentens varenummer:
- SiHP6N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 228-2881
- Producentens varenummer:
- SiHP6N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 950mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 950mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 15 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 165.3 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 3 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 9 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 16.3 A 850 V Forbedring TO-247, E
- Vishay N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-251, E