Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 350.8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 15.588,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.485,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 5,196Kr. 15.588,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
228-2900
Producentens varenummer:
SiR500DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350.8A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.47mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104.1W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

120nC

Portkildespænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 30 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links