Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 350.8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 15.588,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.485,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 5,196Kr. 15.588,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
228-2900
Producentens varenummer:
SiR500DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350.8A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.47mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

120nC

Portkildespænding maks.

16 V

Effektafsættelse maks. Pd

104.1W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 30 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links