Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 350.8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiR500DP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 81,83

(ekskl. moms)

Kr. 102,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.305 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 16,366Kr. 81,83
50 - 120Kr. 13,898Kr. 69,49
125 - 245Kr. 13,09Kr. 65,45
250 - 495Kr. 12,298Kr. 61,49
500 +Kr. 8,184Kr. 40,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2902
Producentens varenummer:
SiR500DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350.8A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.47mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104.1W

Portkildespænding maks.

16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

120nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 30 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links