Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 19.4 A 100 V, 3 Ben, TO-220, IPP050N10NF2S Nej IPP050N10NF2SAKMA1
- RS-varenummer:
- 228-6549
- Producentens varenummer:
- IPP050N10NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 77,66
(ekskl. moms)
Kr. 97,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 905 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 15,532 | Kr. 77,66 |
| 25 - 45 | Kr. 13,972 | Kr. 69,86 |
| 50 - 120 | Kr. 13,046 | Kr. 65,23 |
| 125 - 245 | Kr. 12,282 | Kr. 61,41 |
| 250 + | Kr. 11,34 | Kr. 56,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-6549
- Producentens varenummer:
- IPP050N10NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP050N10NF2S | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Højde | 9.45mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP050N10NF2S | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Højde 9.45mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPP050N10NF2S er N-kanal MOSFET. Drænkildespændingen for denne mosfet er 100 V. Den understøtter en lang række anvendelser, og standard pinout giver mulighed for drop-in udskiftning. denne mosfet har øget strømbelastningsevne.
Optimeret til en lang række anvendelser
N-kanal, normalt niveau
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 19 3 ben IPP050N10NF2S IPP050N10NF2SAKMA1
- Infineon N-Kanal 130 A 100 V HEXFET IRFS4310TRLPBF
- Infineon N-Kanal 130 A 100 V HEXFET IRFS7440TRLPBF
- Infineon N-Kanal 192 A 100 V HEXFET IRF100B201
- Infineon N-Kanal 202 A HEXFET AUIRF1404
- Infineon N-Kanal 185 A HEXFET AUIRFB8405
- Infineon N-Kanal 100 A 100 V TO-220 IPP039N10N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 137 A. 100 V TO-220 IPP045N10N3GXKSA1
