Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 202 A 40 V, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101 AUIRF1404
- RS-varenummer:
- 260-5057
- Producentens varenummer:
- AUIRF1404
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 37,98
(ekskl. moms)
Kr. 47,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 981 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 37,98 |
| 5 - 9 | Kr. 36,13 |
| 10 - 24 | Kr. 35,31 |
| 25 - 49 | Kr. 33,06 |
| 50 + | Kr. 30,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5057
- Producentens varenummer:
- AUIRF1404
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 202A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 16.51mm | |
| Bredde | 10.67 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 202A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 16.51mm | ||
Bredde 10.67 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET er specielt designet til brug i biler. Denne effekt-MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tændt pr. siliciumareal.
Avanceret procesteknologi
Meget lav modstand ved tændt
Hurtig omskiftning
Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 202 A HEXFET AUIRF1404
- Infineon N-Kanal 185 A HEXFET AUIRFB8405
- Infineon N-Kanal 202 A 40 V TO-220AB, HEXFET IRF1404PBF
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V HEXFET IRFB7440PBF
- Infineon N-Kanal 12 A 200 V HEXFET IRF200B211
- Infineon N-Kanal 95 A 60 V HEXFET IRFB7545PBF
- Infineon N-Kanal 95 A 40 V HEXFET IRF40B207
- Infineon N-Kanal 340 A 40 V HEXFET IRFS3004TRLPBF
