Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 202 A 40 V, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 37,98

(ekskl. moms)

Kr. 47,48

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 981 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 37,98
5 - 9Kr. 36,13
10 - 24Kr. 35,31
25 - 49Kr. 33,06
50 +Kr. 30,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
260-5057
Producentens varenummer:
AUIRF1404
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

202A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-220

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

333W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

10.67 mm

Højde

4.83mm

Længde

16.51mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon HEXFET Power MOSFET er specielt designet til brug i biler. Denne effekt-MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tændt pr. siliciumareal.

Avanceret procesteknologi

Meget lav modstand ved tændt

Hurtig omskiftning

Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax

Relaterede links