Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 70 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1739
- Producentens varenummer:
- AUIRFN8459TR
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 229-1739
- Producentens varenummer:
- AUIRFN8459TR
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.2mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 5.85 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.2mm | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 5.85 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon Dual n-kanal HEXFET Power MOSFET i et PQFN 5 x 6 L hus giver mulighed for gentagne lavine op til Tjmax. Den har hurtig skiftehastighed og er blyfri.
Den overholder RoHS
Den har en driftstemperatur på 175 grader C.
Den har meget lav modstand
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 70 A 40 V Forbedring PQFN, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 3 A 50 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 44 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 7.2 A 20 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring PQFN, HEXFET
