Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 5 Ben, HSOF, IAUA
- RS-varenummer:
- 229-1790
- Producentens varenummer:
- IAUA180N04S5N012AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 66,87
(ekskl. moms)
Kr. 83,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 9.995 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,374 | Kr. 66,87 |
| 50 - 120 | Kr. 12,178 | Kr. 60,89 |
| 125 - 245 | Kr. 11,384 | Kr. 56,92 |
| 250 - 495 | Kr. 10,576 | Kr. 52,88 |
| 500 + | Kr. 9,768 | Kr. 48,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1790
- Producentens varenummer:
- IAUA180N04S5N012AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IAUA | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IAUA | ||
Emballagetype HSOF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET anvendes til brug i biler. It n kanal MOSFET og 100 procent lavine testet. Det er n-kanals normalt niveau MOSFET.
Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 grader C.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring HSOF, IAUA
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 250 A 40 V Forbedring PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 440 A 40 V Forbedring HSOF, IST
- Infineon Type N-Kanal 475 A 40 V Forbedring HSOF, IST
- Infineon Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring HSOF, IPT60R
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 600 V Forbedring HSOF, CoolGaN
- Infineon Type N-Kanal 75 A 600 V Forbedring HSOF, IPT60R