Infineon N-Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1837
- Producentens varenummer:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 106,07
(ekskl. moms)
Kr. 132,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10.410 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 7,071 | Kr. 106,07 |
| 75 - 135 | Kr. 6,881 | Kr. 103,22 |
| 150 - 360 | Kr. 6,692 | Kr. 100,38 |
| 375 - 735 | Kr. 6,533 | Kr. 98,00 |
| 750 + | Kr. 6,363 | Kr. 95,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1837
- Producentens varenummer:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon IPD seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 90 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD90N04S4L04ATMA1
Denne MOSFET er en halvlederkontakt, der er designet til DC-anvendelser med høj strømstyrke og overflademonteret montering, understøtter udvidet temperaturdrift og bilkvalifikation til brug i krævende miljøer.
Egenskaber og fordele:
• Maksimal afløbsstrøm på 90 A muliggør høj belastningskontaktkapacitet
• Lav Rds(on) på 3,8 mΩ reducerer ledningstab under drift
• Maks. effekttab på 71 W understøtter vedvarende termisk belastning
• Gate-ladning på 46 nC muliggør forudsigelig skifteadfærd
• Drain-source mærkespænding på 40 V beskytter mod almindelige spændingstransienter
• Fremadgående diodespænding på 1,3 V begrænser faldet under omvendt ledning
• Lav Rds(on) på 3,8 mΩ reducerer ledningstab under drift
• Maks. effekttab på 71 W understøtter vedvarende termisk belastning
• Gate-ladning på 46 nC muliggør forudsigelig skifteadfærd
• Drain-source mærkespænding på 40 V beskytter mod almindelige spændingstransienter
• Fremadgående diodespænding på 1,3 V begrænser faldet under omvendt ledning
Anvendelser
• Velegnet til elektriske motordrevstrin i køretøjer
• Ideel til DC-DC-konverterudgange med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med strømfordelingsmoduler i bilelektronik
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Velegnet til batteristyring og opladningskredsløb
• Ideel til DC-DC-konverterudgange med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med strømfordelingsmoduler i bilelektronik
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Velegnet til batteristyring og opladningskredsløb
Hvilket temperaturområde kan denne komponent tåle under barske forhold?
Den fungerer pålideligt fra -55 °C op til 175 °C.
Hvordan er den pakket til printkortmontering og montering på kortniveau?
Den leveres i en TO-252-pakke til overflademontering til direkte lodning.
Hvilke ekstreme gate-spændinger bør undgås for at forhindre skader?
Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige ±20 V for at bevare gate-integriteten.
Hvor mange elektriske forbindelser præsenterer den for kortet?
Den har tre ben til drain-, gate- og kildetilslutninger på printkortet.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon N-Kanal 90 A N IPD
- Infineon N-Kanal 14 A 950 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101