Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1837
- Producentens varenummer:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 40,02
(ekskl. moms)
Kr. 50,025
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 13.605 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 2,668 | Kr. 40,02 |
| 75 - 135 | Kr. 2,598 | Kr. 38,97 |
| 150 - 360 | Kr. 2,523 | Kr. 37,85 |
| 375 - 735 | Kr. 2,463 | Kr. 36,95 |
| 750 + | Kr. 2,399 | Kr. 35,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1837
- Producentens varenummer:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon n-kanals MOSFET med normal effekt til brug i biler. Den har de laveste skift- og ledningstab for at opnå den højeste termiske effektivitet. Det er robuste huse med overlegen kvalitet og pålidelighed.
Den overholder RoHS og er AEC-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 grader C.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 90 A N IPD
- Infineon Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101