onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 4 Ben, H-PSOF, SUPERFET III Nej
- RS-varenummer:
- 230-9082
- Producentens varenummer:
- NTBL082N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 63.370,00
(ekskl. moms)
Kr. 79.212,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 31,685 | Kr. 63.370,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 230-9082
- Producentens varenummer:
- NTBL082N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | H-PSOF | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 82mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 313W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | |
| Højde | 13.28mm | |
| Bredde | 2.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype H-PSOF | ||
Serie SUPERFET III | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 82mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 313W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | ||
Højde 13.28mm | ||
Bredde 2.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor-serien SUPERFET III MOSFET er ON Semiconductors helt nye SJ-MOSFET-serie (high-voltage) med høj spænding, der anvender opladningsbalanceteknologi til enestående lav modstand og lavere gate-opladning. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor er SUPERFET III MOSFET meget velegnet til de forskellige kraftsystemer til miniaturisering og højere effektivitet.
Høj effekttæthed
Konfiguration af Kelvin-kilde
Lav bagklapstøj og skiftetab
Optimeret kapacitet
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Garanti for fugtfølsomhedsniveau 1
Høj pålidelighed i fugtige omgivelser
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V H-PSAF8L, SUPERFET III NTBL082N65S3HF
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V TDFN4, SUPERFET III NTMT095N65S3H
- onsemi N-Kanal 16 A 650 V TDFN4, SUPERFET III NTMT190N65S3H
- onsemi N-Kanal 24 A 650 V TDFN4, SUPERFET III NTMT125N65S3H
- onsemi N-Kanal 13 A 650 V TO-220, SUPERFET III NTPF250N65S3H
- onsemi N-Kanal 16 A 650 V TO-220, SUPERFET III NTPF190N65S3H
- onsemi N-Kanal 10 A 650 V TO-220, SUPERFET III NTPF360N65S3H
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V TO-220, SUPERFET III NTPF095N65S3H
