onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SUPERFET V Nej NTHL041N60S5H
- RS-varenummer:
- 230-9087
- Producentens varenummer:
- NTHL041N60S5H
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 51,61
(ekskl. moms)
Kr. 64,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 138 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 51,61 |
| 10 - 99 | Kr. 44,51 |
| 100 + | Kr. 38,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 230-9087
- Producentens varenummer:
- NTHL041N60S5H
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | SUPERFET V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 108nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 329W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.87mm | |
| Højde | 41.07mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free, RoHS | |
| Bredde | 4.82 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie SUPERFET V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 108nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 329W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.87mm | ||
Højde 41.07mm | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free, RoHS | ||
Bredde 4.82 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor-serien SUPERFET V MOSFET er femte generation af SJ-MOSFET (high-voltage) serien fra ON Semiconductor. SUPERFET V leverer klassens bedste FOM'er (RDS(ON) · QG og RDS(ON) · EOSS), der forbedrer ikke blot den tunge belastning, men også effektiviteten ved let belastning. 600 V SUPERET V serien giver designfordele gennem reduceret lednings- og skiftetab, mens den understøtter ekstreme MOSFET DVD'er/dt-værdier ved 120 V/ns. Derfor er den HURTIGE SUPERFET V MOSFET-serie med til at maksimere systemets effektivitet og effekttæthed.
100 % Avalanche testet
I overensstemmelse med RoHS
Typ. RDS(til) = 32.8 mΩ
Intern Gate-modstand: 0.6 Ω
Ultralav gate-opladning (typ. QG = 108 bryde)
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 57 A 600 V TO-247, SUPERFET V NTHL041N60S5H
- onsemi N-Kanal 33 A 600 V TO-247, SUPERFET V NTHL099N60S5
- onsemi N-Kanal 76 A 600 V TO-247, SuperFET II FCH041N60F
- onsemi N-Kanal 37 A 600 V TO-247, SuperFET II FCH104N60F
- onsemi N-Kanal 77 A 600 V TO-247, SuperFET II FCH041N60E
- onsemi N-Kanal 62 A 650 V TO-247-4, SUPERFET III NTH4LN040N65S3H
- onsemi N-Kanal 20 A 600 V TO-3PN, SuperFET FCA20N60F
- onsemi N-Kanal 7 A 600 V TO-220F, SuperFET FCPF7N60