Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 6.5 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8622P
- Producentens varenummer:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 505,60
(ekskl. moms)
Kr. 632,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 98 | Kr. 25,28 |
| 100 - 198 | Kr. 22,85 |
| 200 - 498 | Kr. 21,54 |
| 500 + | Kr. 20,195 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8622P
- Producentens varenummer:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.305Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.305Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay EF seriens Power MOSFET, 850 V drain source spænding, 6,5 A drain strøm - SiHA17N80AEF-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til krævende elektriske og biler. Den fungerer som en N-kanal-udtømningsenhed i en TO-220-overfladepakke med gennemgående huller, hvilket giver en kompakt løsning til strømkonvertering og styring, hvor der kræves robust spændingshåndtering og termisk margen.
Egenskaber og fordele:
• 850 V maksimal drain-source-spænding til højspændingsanvendelser • 6,5 A kontinuerlig afløbsstrøm, der muliggør vedvarende belastningshåndtering • 0,305 Ω Rds minimerer ledningstab under belastning • 34 W effekttab understøtter høje termiske budgetter • 63 nC typisk gate-ladning til forudsigelig omskiftningskontrol • ±150 °C/-55 °C driftsområde giver bred temperaturbestandighed
Anvendelser
• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertertrin i industrielle systemer • Ideel til inverterfrontender og effektfaktorkredsløb • Anvendes til switch-mode strømforsyninger i automatiseringsudstyr • Kan bruges til biler med strømforsyningselektronik, der opfylder AEC‐Q101-kriterier • Anvendes sammen med gate-drivere, der kræver definerede ladeegenskaber
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under design?
Enheden tolererer gate-ekskursion op til 30 V
design bør sikre, at gate-drive-kredsløb forbliver inden for denne grænse for at forhindre gate-oxid-belastning.
Hvordan skal termisk styring implementeres for pålidelig drift?
Med en dissipationsværdi på 34 W skal du tilslutte en passende kølelegeme til TO‐220-fanen og sikre tilstrækkelig luftstrøm til at opretholde forbindelsestemperaturer inden for sikre grænser.
Hvilke overvejelser gælder for koblingstab og valg af driver?
Med en typisk gate-ladning på 63 nC skal du vælge en driver, der er i stand til at forsyne og synke de påkrævede spidsstrømme for at opnå de ønskede stige-/faldtider, samtidig med at du håndterer skiftetab.
Er enheden velegnet til bilkvalificeringsprocesser?
Den er i overensstemmelse med AEC-Q101 standarder for MOSFET'er til biler, hvilket gør den velegnet til design, der kræver komponenter af bilkvalitet.
Hvilken elektrisk polaritet og kanaladfærd skal designere forvente?
Transistoren er en N-kanal-udtømningsenhed, så kredsløbstopologien skal tage hensyn til dens kanaltilstand, når der implementeres normalt tændt eller normalt slukket koblingsarrangementer.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 6.5 A 850 V Udtømning TO-220, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 7 A 850 V Udtømning TO-220, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 6 A 850 V Udtømning TO-220, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 95 A 650 V Udtømning TO-247, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 46 A 650 V Udtømning TO-263, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 26 A 650 V Udtømning PowerPAK 8 x 8 L, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, EF