Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101 SIHA21N80AEF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 52,21

(ekskl. moms)

Kr. 65,262

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 26,105Kr. 52,21
20 - 98Kr. 24,495Kr. 48,99
100 - 198Kr. 22,215Kr. 44,43
200 - 498Kr. 20,905Kr. 41,81
500 +Kr. 19,60Kr. 39,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8625
Producentens varenummer:
SIHA21N80AEF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Serie

EF

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.22Ω

Kanalform

Udtømning

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

47nC

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay E serien er power MOSFET med hurtig husdiode. Denne MOSFET, der bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyning, svejsning og motordrev.

Lavt tal for fortjeneste

Lav effektiv kapacitet

Lavt skift og ledningstab

Relaterede links