Vishay N-Kanal, MOSFET, 7 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8625
Producentens varenummer:
SIHA21N80AEF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

TO-220

Serie

EF

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.22Ω

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

30V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

47nC

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay E serien er power MOSFET med hurtig husdiode. Denne MOSFET, der bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyning, svejsning og motordrev.

Lavt tal for fortjeneste

Lav effektiv kapacitet

Lavt skift og ledningstab

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.