Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 93.6 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101 SIR188LDP-T1-RE3
- RS-varenummer:
- 239-8644
- Producentens varenummer:
- SIR188LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 65,97
(ekskl. moms)
Kr. 82,46
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5.940 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,194 | Kr. 65,97 |
| 50 - 245 | Kr. 12,402 | Kr. 62,01 |
| 250 - 495 | Kr. 11,22 | Kr. 56,10 |
| 500 - 1245 | Kr. 10,562 | Kr. 52,81 |
| 1250 + | Kr. 9,934 | Kr. 49,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8644
- Producentens varenummer:
- SIR188LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 93.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.75mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 93.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.75mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET er Gen IV power N-kanal MOSFET, der kører ved 60 V. Denne MOSFET, der anvendes til primær sidekontakt, motordrevkontakt og synkron ensretning.
Meget lav modstand
UIS testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 93.6 A. 60 V PowerPAK SO-8 SIR188LDP-T1-RE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 60 A 60 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR188DP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 52.1 A. 60 V PowerPAK SO-8 SiR4602LDP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 137 A. 60 V PowerPAK SO-8 SiR180ADP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 73 A 60 V PowerPAK SO-8 SIR184LDP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 60 A 30 V PowerPAK SO-8 SIR158DP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 130 A 60 V PowerPAK SO-8 SIR182LDP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 165 A 60 V PowerPAK SO-8, SiR626ADP SiR626ADP-T1-RE3
