Infineon N-Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 240-6626
- Producentens varenummer:
- IQE008N03LM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 39.510,00
(ekskl. moms)
Kr. 49.390,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 7,902 | Kr. 39.510,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 240-6626
- Producentens varenummer:
- IQE008N03LM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 253A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | IQE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.85mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 730mV | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 253A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie IQE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.85mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 730mV | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSTM 5 30V PQFN 3,3x3.3 kilde-down har 30 V og lav RDS(til) på 0,85 mOhm. Den har flere fordele, f.eks. øget termisk kapacitet, Advanced-effekttæthed eller forbedrede layoutmuligheder. Desuden er den højere effektivitet, de reducerede krav til aktiv køling og det effektive layout for termisk styring fordele på systemniveau.
Forbedret tab på printplader
Muliggør den højeste effekttæthed og ydeevne
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 253 A 30 V PQFN, IQE AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 205 A IQE
- Infineon N-Kanal 55 A 25 V PQFN, ISK AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 192 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 11 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 205 A 40 V IQE
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V Forbedring PQFN, IAUT AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101