Infineon N-Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 61,56

(ekskl. moms)

Kr. 76,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 22. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 30,78Kr. 61,56
20 - 48Kr. 27,675Kr. 55,35
50 - 98Kr. 25,88Kr. 51,76
100 - 198Kr. 24,31Kr. 48,62
200 +Kr. 22,44Kr. 44,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
240-6636
Producentens varenummer:
IQE050N08NM5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

253A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

IQE

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.85mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

730mV

Portkildespænding maks.

16V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM 5 80V PQFN 3,3x3.3 kilde-down har 80 V og lav RDS(til) på 5,0 mOhm. Den har flere fordele, f.eks. øget termisk kapacitet, Advanced-effekttæthed eller forbedrede layoutmuligheder. Desuden er den højere effektivitet, de reducerede krav til aktiv køling og det effektive layout for termisk styring fordele på systemniveau.

Forbedret tab på printplader

Muliggør den højeste effekttæthed og ydeevne

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.