Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 19.370,00

(ekskl. moms)

Kr. 24.210,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 28. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 3,874Kr. 19.370,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
241-9696
Producentens varenummer:
BSZ018NE2LSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

212A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PQFN

Serie

BSZ

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.7mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which has Pb-free lead plating. It is optimized for high performance Buck converter.

Ekstremt lav modstand ved tændt

Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målanvendelse

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.