Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0 Nej BSC021N08NS5ATMA1
- RS-varenummer:
- 241-9965
- Producentens varenummer:
- BSC021N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 28,04
(ekskl. moms)
Kr. 35,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 4.980 enhed(er) afsendes fra 15. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 28,04 |
| 10 - 24 | Kr. 26,63 |
| 25 - 49 | Kr. 26,11 |
| 50 - 99 | Kr. 24,46 |
| 100 + | Kr. 22,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9965
- Producentens varenummer:
- BSC021N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 381A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSC0 | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 381A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSC0 | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor, 80V er en N-kanal MOSFET, som er optimeret til synkron ensretning i server og desktop.
Den har fremragende termisk modstand
Den er 175 grader celsius
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 226 A. 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC021N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 95 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC052N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 184 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC026N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 66 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 ISC0602NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 70 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC70N08S5N074ATMA1
- Infineon N-Kanal 131 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC037N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 74 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC072N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC100N08S5N043ATMA1
