Infineon N-Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 54,45

(ekskl. moms)

Kr. 68,06

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.856 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 27,225Kr. 54,45
20 - 48Kr. 23,975Kr. 47,95
50 - 98Kr. 22,365Kr. 44,73
100 - 198Kr. 20,945Kr. 41,89
200 +Kr. 19,335Kr. 38,67

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
242-0305
Producentens varenummer:
IQE006NE2LM5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

253A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PQFN

Serie

IQE

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.2mΩ

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

730mV

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 5 effekttransistor er en N-kanal MOSFET, som har meget lav modstand. Den er fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC til industrielle anvendelser.

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk modstand

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.