Infineon N-Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 242-0307
- Producentens varenummer:
- IQE006NE2LM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 46,30
(ekskl. moms)
Kr. 57,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 23,15 | Kr. 46,30 |
| 20 - 48 | Kr. 20,645 | Kr. 41,29 |
| 50 - 98 | Kr. 19,225 | Kr. 38,45 |
| 100 - 198 | Kr. 17,875 | Kr. 35,75 |
| 200 + | Kr. 16,42 | Kr. 32,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 242-0307
- Producentens varenummer:
- IQE006NE2LM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 253A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | IQE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 730mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 253A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie IQE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 730mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor er en N-kanal MOSFET, som har blyfri blybelægning og overholder RoHS. Det er 100% lavine-testet.
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC til industrielle anvendelser
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 253 A 30 V PQFN, IQE AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 205 A IQE
- Infineon N-Kanal 55 A 25 V PQFN, ISK AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 192 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 11 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 205 A 40 V IQE
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V Forbedring PQFN, IAUT AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101