Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 31.342,00

(ekskl. moms)

Kr. 39.178,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 31,342Kr. 31.342,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
242-5820
Producentens varenummer:
IPB048N15N5LFATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

273A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET er særligt velegnet til lavspændingsdrev som f.eks. gaffeltruck og e-scooter samt tele- og solcelleanvendelser. Produkterne tilbyder en banebrydende reduktion i R DS (ON) (op til 25 % sammenlignet med det næstbedste alternativ i SuperSO8) og Q rr uden at gå på kompromis med FOM gd og FOM OSS, hvilket effektivt reducerer designindsatsen og optimerer systemets effektivitet.

Sænk R DS (ON) uden at gå på kompromis med FOMgd og FOMOSS

Lavere udgangseffekt

Ultralav genvindingsladning (Q rr = 26 NC i SuperSO8)

175 °C driftstemperatur

Blyfri forgyldning

I overensstemmelse med RoHS

Gennemslagsspænding for drænkilde 150V

Maksimal drænstrøm 120A

Relaterede links