Infineon N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB

RS-varenummer:: 242-5821
Producentens varenummer:: IPB048N15N5LFATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB

Indhold (1 enhed)*

Kr. 54,60

(ekskl. moms)

Kr. 68,25

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

567 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.
1 +	Kr. 54,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 242-5821
Producentens varenummer:: IPB048N15N5LFATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	273A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	iPB
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1.7mΩ
	Kanalform	N
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 273A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie iPB
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ
	Kanalform N
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPB048N15N5LFATMA1

Infineon iPB seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 273 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPB048N15N5LFATMA1

Denne n-kanals MOSFET er en effektomskiftenhed, der er designet til anvendelser med høj strøm og høj spænding, hvor der kræves robust termisk og elektrisk ydeevne. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og leveres i et overflademonteret TO-263-hus, der er velegnet til varmestyrte printkort. Enheden er i overensstemmelse med RoHS og er beregnet til systemer, der kræver en betydelig kontinuerlig aftapningskapacitet og kontrolleret portdrev.

Egenskaber og fordele:

• Modstandsdygtig over for 100 V drain-source, der muliggør højspændingsswitching
• 273 A kontinuerlig afløbsstrøm til håndtering af kraftige belastninger
• 1.7 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 81 W effekttab understøtter drift med høj effekt
• 80 nC total gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• 1,2 V fremadgående spænding minimerer diodeledningsfald

Anvendelser

• Velegnet til strømforsyninger og omformere med høj strømstyrke
• Ideel til motordrevstrin, der kræver stor strøm
• Anvendes til serverstrømfordeling og bus-switching
• Kan bruges til telekommunikationsensrettere og invertere
• Velegnet til industriel omskiftning ved barske temperaturer

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes for sikker drift?

Porten bør ikke overstige en 20 V Vgs grænse for at forhindre skader på porten.

Hvordan tåler den ekstreme termiske miljøer?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C til brug i et bredt temperaturområde.

Hvilken monteringsmetode er nødvendig til samling?

Enheden er beregnet til overflademontering i et TO-263-footprint.

Hvilken ledningsføringsadfærd kan designere forvente af den egensidede diode?

Den fremadgående ledningsegenskab er specificeret som 1,2 V Vf for diode-relateret strømflow.

Hvilken kanalpolaritet har enheden til kredsløbsintegration?

Den bruger en N-kanalkonfiguration til konventionel switching på høj side eller lav side.