Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 3 Ben, SOT-23 Nej PMV50XNEAR
- RS-varenummer:
- 243-4864
- Producentens varenummer:
- PMV50XNEAR
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 53,40
(ekskl. moms)
Kr. 66,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 17. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,136 | Kr. 53,40 |
| 50 - 75 | Kr. 2,094 | Kr. 52,35 |
| 100 - 225 | Kr. 1,328 | Kr. 33,20 |
| 250 - 975 | Kr. 1,298 | Kr. 32,45 |
| 1000 + | Kr. 1,206 | Kr. 30,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-4864
- Producentens varenummer:
- PMV50XNEAR
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia N-kanals forstærkningstilstand felteffekttransistor (FET) i et lille SOT23 overflademonteret enhed (SMD) plasthus med rende MOSFET-teknologi.
Lav tærskelspænding
Udvidet temperaturområde TJ = 175 C.
Trench MOSFET-teknologi
Meget hurtigt skift
DC til DC-konvertering
Højhastigheds linjedriver
Lav-side belastningsomskifter
Koblingskredsløb
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 3 3 ben, SOT-23 PMV50XNEAR
- Infineon N-Kanal 3 3 ben HEXFET IRLML6346TRPBF
- Nexperia N-Kanal 850 mA 30 V SOT-23 BSH103,215
- Nexperia N-Kanal 1 3 ben215
- Nexperia N-Kanal 5 3 ben PMV45EN2 PMV45EN2R
- Nexperia N-Kanal 4 3 ben PMV40UN2 PMV40UN2R
- Nexperia N-Kanal 400 mA 30 V SOT-23 NX3008NBK,215
- Nexperia N-Kanal 3 3 ben, SOT-23 AEC-Q101 PMV50ENEAR
