MPN

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101 IRL100HS121

RS-varenummer:: 243-9301
Producentens varenummer:: IRL100HS121
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101 IRL100HS121

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 34,03

(ekskl. moms)

Kr. 42,54

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

7.940 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 6,806	Kr. 34,03
50 - 120	Kr. 6,058	Kr. 30,29
125 - 245	Kr. 5,64	Kr. 28,20
250 - 495	Kr. 5,31	Kr. 26,55
500 +	Kr. 4,906	Kr. 24,53

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 243-9301
Producentens varenummer:: IRL100HS121
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	11A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	IRFH
	Emballagetype	PQFN
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.7mΩ
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie IRFH
	Emballagetype PQFN
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IRL100HS121

Infineon IRL100HS121 N-kanal Power MOSFET kan leveres i tre forskellige spændingsklasser (60V, 80V og 100V), Infineons nye logikniveau power MOSFET'er er særdeles velegnede til trådløs opladning, telekommunikation og adapteranvendelser. PQFN 2x2 huset er specielt velegnet til højhastigheds kobling og formfaktor vigtige anvendelser. Den giver højere effekttæthed og forbedret effektivitet samt betydelig pladsbesparelse.

Laveste FOM (R DS(ON) x Q g/gd)

Optimeret Q g, C oss og Q rr til hurtig omskiftning

Kompatibilitet med logikniveau

Lille PQFN 2 x 2 mm hus

Design med højere effekttæthed

Højere skiftefrekvens

Bruger OptiMOSTM5 chip

Reduceret antal dele, hvor der er 5V tilgængelige forbrugsvarer

Drives direkte fra mikrokontrollere (langsom omskiftning)

Reduktion af systemomkostninger

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101 IRL100HS121

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links