DiodesZetex Type P, Type N-Kanal, MOSFET 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 246-7503
- Producentens varenummer:
- DMHC4035LSDQ-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 64,79
(ekskl. moms)
Kr. 80,99
(inkl. moms)
Tilføj 80 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 2.360 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,479 | Kr. 64,79 |
| 50 - 90 | Kr. 6,365 | Kr. 63,65 |
| 100 - 240 | Kr. 4,989 | Kr. 49,89 |
| 250 - 990 | Kr. 4,907 | Kr. 49,07 |
| 1000 + | Kr. 4,451 | Kr. 44,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7503
- Producentens varenummer:
- DMHC4035LSDQ-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.058Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.058Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex udgør en ny generation af supplerende MOSFET H-bro, der har lav modstand, der kan opnås med lavt gate-drev. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SO-8-emballage. Det giver hurtig switching og lav indgangskapacitet. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC
Den maksimale afløbsspænding til kildespænding er 40 V maksimal gate-til-source spænding er ± 20 V 2 N-kanal og 2 P-kanaler i et SOIC hus, det giver lav modstand
Relaterede links
- DiodesZetex Type P MOSFET 40 V Forbedring SOIC
- DiodesZetex Type N MOSFET 40 V Forbedring SOIC
- DiodesZetex Type N MOSFET 60 V Forbedring SOIC
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 4 Type P MOSFET 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 8 Ben, SOIC AEC-Q101
