Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 72 A 20 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101 AUIRFS4127TRL
- RS-varenummer:
- 249-6876
- Producentens varenummer:
- AUIRFS4127TRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 47,15
(ekskl. moms)
Kr. 58,94
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 47,15 |
| 10 - 24 | Kr. 44,81 |
| 25 - 49 | Kr. 42,94 |
| 50 - 99 | Kr. 40,99 |
| 100 + | Kr. 38,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6876
- Producentens varenummer:
- AUIRFS4127TRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 72A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 72A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie AUIRFS | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 72 A 20 V D2PAK (TO-263), HEXFET AUIRFS4127TRL
- Infineon N-Kanal 42 A 75 V HEXFET AUIRFR2407TRL
- Infineon N-Kanal 17 A 20 V HEXFET AUIRFZ24NSTRL
- Infineon N-Kanal 10 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRL520NSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 94 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 86 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRL3705ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 84 A 60 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010ESTRLPBF
- Infineon N-Kanal 320 A 40 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS7434TRLPBF
