Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 65.7 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101 SIR1309DP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 57,52

(ekskl. moms)

Kr. 71,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.710 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,752Kr. 57,52
100 - 490Kr. 5,416Kr. 54,16
500 - 990Kr. 4,892Kr. 48,92
1000 - 2490Kr. 4,608Kr. 46,08
2500 +Kr. 4,316Kr. 43,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0271
Producentens varenummer:
SIR1309DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

65.7A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. P-kanals MOSFET-substratet indeholder elektroner og elektronhuller. P-kanals MOSFET'er er forbundet til en positiv spænding. Disse MOSFET'er tændes, når spændingen, der leveres til gateterminalen, er lavere end kildespændingen.

TrenchFET Gen IV p-kanals effekt MOSFET 100 % Rg testet

Relaterede links