onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101 NTH4L025N065SC1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 111,48

(ekskl. moms)

Kr. 139,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 440 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 111,48
10 - 99Kr. 95,98
100 +Kr. 83,28

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
254-7670
Producentens varenummer:
NTH4L025N065SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-247

Serie

NTH

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

164nC

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

117W

Gennemgangsspænding Vf

4.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L


ON Semiconductor NTH serien af en siliciumkarbid mosfet bruger en helt ny teknologi, der giver fremragende skifteydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden med lav modstand ved tænding og kompakt chipstørrelse. Det sikrer en lav kapacitet og gate-opladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.

Anvendes i telekommunikation med ultralav gate-opladning, høj hastighedskontakt og lav kapacitet

Relaterede links