Vishay N-Kanal, MOSFET, -2.4 A -60 V, 8 Ben, SOIC, Si4948BEY

RS-varenummer:: 256-7362
Producentens varenummer:: SI4948BEY-T1-E3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, -2.4 A -60 V, 8 Ben, SOIC, Si4948BEY

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 256-7362
Producentens varenummer:: SI4948BEY-T1-E3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-2.4A
	Drain source spænding maks. Vds	-60V
	Emballagetype	SOIC
	Serie	Si4948BEY
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.15Ω
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	14.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd	1.4W
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Højde	1.75mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -2.4A
	Drain source spænding maks. Vds -60V
	Emballagetype SOIC
	Serie Si4948BEY
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.15Ω
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd 1.4W
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Højde 1.75mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SI4948BEY-T1-E3

Vishay Si4948BEY seriens MOSFET, 60 V maksimal drain-kildespænding, 2,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI4948BEY-T1-E3

Denne p-kanal MOSFET er en overflademonteret transistor, der er designet til koblings- og analoge funktioner i kompakte elektroniske enheder. Den er beregnet til anvendelser, der kræver moderat strømstyrkehåndtering og spændingsblokering i en halvlederpakke, der monteres direkte på printkortet. Enheden fungerer over et bredt temperaturområde og overholder almindelige elektroniske materialestandarder, hvilket gør den velegnet til brug i krævende termiske miljøer.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding 0,15 Ω, der giver reducerede ledningstab
• Blokeringsevne 60 V til mellemspændingsswitching
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 2,4 A for vedvarende belastningshåndtering
• Gate-drevetolerance på 20 V giver mulighed for fleksible styrespændinger
• Typisk gate-ladning 14,5 nC for forudsigelig koblingsadfærd
• Effekttab på 1,4 W understøtter moderate termiske belastninger

Anvendelser

• Velegnet til omskiftning af strømskinnelast i forbrugerelektronik
• Ideel til implementering af omvendt polaritet eller high-side-kontakter
• Anvendes sammen med kompakte DC-DC-omformere i kort med begrænset plads
• Kan bruges til batteribeskyttelse og energistyringskredsløb
• Velegnet til styring af signalniveauet i industrielle moduler

Hvilken pakke og hvilket antal ben skal jeg planlægge på printkortet?

Komponenten leveres i en 8-benet SOIC-pakke, der er beregnet til overflademontering, så fodaftrykket i designet skal svare til standard 8-benede SOIC-jordmønstre for pålidelige loddeforbindelser.

Hvordan fungerer den ved ekstreme temperaturer?

Den er klassificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i enheder, der oplever høje samletemperaturer eller koldstartforhold.

Hvilken fremadgående spændingskarakteristik er relevant for beregninger af kredsløbsmargener?

Enheden udviser en fremadgående spænding på -1,2 V under forhold, der er relevante for dens ledningsvej, som kan bruges ved vurdering af spændingsfald i strømbaner.

Er der material- eller miljøstandarder, der gælder for indkøb?

Delen er i overensstemmelse med RoHS 2002/95/EC og følger IEC 61249-2-21 retningslinjer for relevante materialer og sammensætning.