Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 2.4 A 60 V, 8 Ben, SOIC, Si4948BEY Nej
- RS-varenummer:
- 256-7362
- Producentens varenummer:
- SI4948BEY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 9.315,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.645,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,726 | Kr. 9.315,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7362
- Producentens varenummer:
- SI4948BEY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | Si4948BEY | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie Si4948BEY | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Højde 1.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor dobbelt p-kanal 175° mosfet iTime er halogenfri.
TrenchFET Power Mosfet
I overensstemmelse med RoHS-direktiv 2002/95/EF
Overflademonteret på 1 x 1 FR4-kort
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 2.4 A 60 V SOIC, Si4948BEY Nej SI4948BEY-T1-E3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay N-Kanal 4.3 A 60 V SOIC SI4900DY-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 4 8 ben, SOIC SI4900DY-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 5 8 ben, SOIC SI9945BDY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.5 A 60 V Forbedring SOIC, Si4850EY Nej
- Vishay Type N-Kanal 8.7 A 60 V PowerPAK 1212-8 Nej