Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 2.4 A 60 V, 8 Ben, SOIC, Si4948BEY Nej SI4948BEY-T1-E3
- RS-varenummer:
- 256-7363
- Producentens varenummer:
- SI4948BEY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 62,83
(ekskl. moms)
Kr. 78,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.190 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,566 | Kr. 62,83 |
| 50 - 95 | Kr. 12,178 | Kr. 60,89 |
| 100 - 245 | Kr. 10,308 | Kr. 51,54 |
| 250 - 995 | Kr. 10,112 | Kr. 50,56 |
| 1000 + | Kr. 7,376 | Kr. 36,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7363
- Producentens varenummer:
- SI4948BEY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | Si4948BEY | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie Si4948BEY | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.5nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor dobbelt p-kanal 175° mosfet iTime er halogenfri.
TrenchFET Power Mosfet
I overensstemmelse med RoHS-direktiv 2002/95/EF
Overflademonteret på 1 x 1 FR4-kort
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 2 8-SOIC SI4948BEY-T1-E3
- Vishay P-Kanal 3 8 ben, SOIC SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben TrenchFET SI2308BDS-T1-E3
- Vishay N-Kanal 6 8 ben, PowerPAK SO-8 SI7850DP-T1-E3
- Vishay N-Kanal 6.2 A 60 V PowerPAK SO-8 SI7850DP-T1-E3
- Vishay N-Kanal 6 8 ben TrenchFET SI4946BEY-T1-E3
- Vishay N-Kanal 5 8 ben TrenchFET SI4900DY-T1-E3
- Vishay N-Kanal 4.3 A 60 V SOIC SI4900DY-T1-GE3
