Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, Si7850DP
- RS-varenummer:
- 710-4764
- Producentens varenummer:
- SI7850DP-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 101,43
(ekskl. moms)
Kr. 126,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 535 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 20,286 | Kr. 101,43 |
| 50 - 120 | Kr. 17,234 | Kr. 86,17 |
| 125 - 245 | Kr. 15,004 | Kr. 75,02 |
| 250 - 495 | Kr. 12,372 | Kr. 61,86 |
| 500 + | Kr. 9,768 | Kr. 48,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-4764
- Producentens varenummer:
- SI7850DP-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | Si7850DP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 4.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie Si7850DP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 4.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 6.2 A 60 V Forbedring SO-8, Si7850DP
- Vishay Type N-Kanal 5.3 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 9.5 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 165 A 60 V Forbedring SO-8, SiR626ADP
- Vishay Type N-Kanal 334 A 60 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 204 A 60 V Forbedring SO-8, SiDR626LDP
- Vishay Type N-Kanal 137 A 60 V Forbedring SO-8, SiR180ADP