Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, Si7850DP Nej SI7850DP-T1-E3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 72,89

(ekskl. moms)

Kr. 91,11

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.550 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 14,578Kr. 72,89
50 - 120Kr. 12,406Kr. 62,03
125 - 245Kr. 10,788Kr. 53,94
250 - 495Kr. 8,892Kr. 44,46
500 +Kr. 7,012Kr. 35,06

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-4764
Producentens varenummer:
SI7850DP-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

Si7850DP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

4.9mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.89 mm

Højde

1.04mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links