Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, Si7850DP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 92,45

(ekskl. moms)

Kr. 115,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.535 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 18,49Kr. 92,45
50 - 120Kr. 15,708Kr. 78,54
125 - 245Kr. 13,674Kr. 68,37
250 - 495Kr. 11,28Kr. 56,40
500 +Kr. 8,902Kr. 44,51

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-4764
Producentens varenummer:
SI7850DP-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

Si7850DP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

4.9mm

Højde

1.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.