Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, Si7850DP Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 15.339,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.173,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 5,113Kr. 15.339,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-0830
Producentens varenummer:
SI7850DP-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

Si7850DP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.04mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

4.9mm

Bredde

5.89 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links