Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET
- RS-varenummer:
- 256-7367
- Producentens varenummer:
- SI5448DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 131,125
(ekskl. moms)
Kr. 163,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 5,245 | Kr. 131,13 |
| 50 - 75 | Kr. 5,14 | Kr. 128,50 |
| 100 - 225 | Kr. 3,92 | Kr. 98,00 |
| 250 - 975 | Kr. 3,845 | Kr. 96,13 |
| 1000 + | Kr. 2,965 | Kr. 74,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7367
- Producentens varenummer:
- SI5448DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK ChipFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.85mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK ChipFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.85mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor N-kanals MOSFET PowerPAK chipfet til overflademontering, enkelt.
TrenchFET gen IV power mosfet
100 % Rg og UIS testet
Termisk forbedret powerPAK chipFET-hus
Kompakt areal på mindre end 6,09 mm2
Tynd 0,8 mm profil
56 % lavere RDS(ON) end den foregående generation
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 25 A 40 V PowerPAK ChipFET
- Vishay Type N-Kanal 25 A 20 V PowerPAK ChipFET
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V PowerPAK ChipFET
- Vishay Type N-Kanal 11.6 A 30 V Forbedring PowerPAK ChipFET, Si5418DU
- Vishay Type N Type P MOSFET PowerPAK ChipFET
- Vishay Type P-Kanal 9.9 A 30 V Forbedring PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V ChipFET
- Vishay N-kanal-Kanal 4 A 20 V Forbedring 1206-8 ChipFET, TrenchFET