Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET Nej SI5448DU-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 256-7367
- Producentens varenummer:
- SI5448DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 55,10
(ekskl. moms)
Kr. 68,875
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,204 | Kr. 55,10 |
| 50 - 75 | Kr. 2,159 | Kr. 53,98 |
| 100 - 225 | Kr. 1,649 | Kr. 41,23 |
| 250 - 975 | Kr. 1,613 | Kr. 40,33 |
| 1000 + | Kr. 1,247 | Kr. 31,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7367
- Producentens varenummer:
- SI5448DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK ChipFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 0.85mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK ChipFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 0.85mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor N-kanals MOSFET PowerPAK chipfet til overflademontering, enkelt.
TrenchFET gen IV power mosfet
100 % Rg og UIS testet
Termisk forbedret powerPAK chipFET-hus
Kompakt areal på mindre end 6,09 mm2
Tynd 0,8 mm profil
56 % lavere RDS(ON) end den foregående generation
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 25 A 40 V, PowerPAK ChipFET SI5448DU-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 20 V, PowerPAK ChipFET SI5442DU-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 6 A 30 V, PowerPAK ChipFET SI5936DU-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 11 8 ben, PowerPAK ChipFET SI5418DU-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET SI5517DU-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 9 8 ben, PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 30 V, PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 20 V, PowerPAK 1212-8 SI7232DN-T1-GE3
