Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 9.9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- RS-varenummer:
- 165-6326
- Producentens varenummer:
- SI5419DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 4.800,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.000,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,60 | Kr. 4.800,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6326
- Producentens varenummer:
- SI5419DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | Si5419DU | |
| Emballagetype | PowerPAK ChipFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 31W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.85V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.85mm | |
| Bredde | 1.98 mm | |
| Længde | 3.08mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie Si5419DU | ||
Emballagetype PowerPAK ChipFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 31W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.85V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.85mm | ||
Bredde 1.98 mm | ||
Længde 3.08mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 9.9 A 30 V Forbedring PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET SI5517DU-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 11.6 A 30 V Forbedring PowerPAK ChipFET, Si5418DU
- Vishay Type N-Kanal 25 A 20 V PowerPAK ChipFET
- Vishay Type N-Kanal 25 A 40 V PowerPAK ChipFET
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V PowerPAK ChipFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.8 A 20 V Forbedring ChipFET, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 23 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET