Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 3.8 A 20 V Forbedring, 8 Ben, ChipFET, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 818-1352
- Producentens varenummer:
- SI5935CDC-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 818-1352
- Producentens varenummer:
- SI5935CDC-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | ChipFET | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 156mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Længde | 3.1mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype ChipFET | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 156mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Længde 3.1mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.8 A 20 V Forbedring ChipFET, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3.8 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2367DS
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 4 A 20 V Forbedring 1206-8 ChipFET, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 1.1 A 20 V Forbedring SC-88, TrenchFET