Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 3.8 A 20 V Forbedring, 8 Ben, ChipFET, TrenchFET Nej SI5935CDC-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 818-1352
- Producentens varenummer:
- SI5935CDC-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 23,54
(ekskl. moms)
Kr. 29,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.980 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 1,177 | Kr. 23,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 818-1352
- Producentens varenummer:
- SI5935CDC-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | ChipFET | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 156mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 3.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype ChipFET | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 156mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 3.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 3 8 ben, 1206 ChipFET SI5935CDC-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 4 A 30 V, 1206-8 ChipFET SI5504BDC-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 4 A 20 V, 1206-8 ChipFET SI5513CDC-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 4 A 20 V 1206 ChipFET, TrenchFET SI5515CDC-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 6 A 30 V, 1206-8 ChipFET SI5468DC-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET SI5517DU-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 9 8 ben, PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 3 8 ben, SOIC SI9407BDY-T1-GE3
