Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 24 A 650 V, 3 Ben, TO-263, E
- RS-varenummer:
- 256-7413
- Producentens varenummer:
- SIHB24N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 44,51
(ekskl. moms)
Kr. 55,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 979 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 44,51 |
| 10 - 24 | Kr. 40,09 |
| 25 - 99 | Kr. 38,00 |
| 100 - 499 | Kr. 33,51 |
| 500 + | Kr. 28,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7413
- Producentens varenummer:
- SIHB24N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.145Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 122nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.145Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 122nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 650 V drain source-spænding, 24 A kontinuerlig drain-strøm - SIHB24N65E-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonteret strømkonvertering og styringsanvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til brug, hvor der kræves forhøjet spændingshåndtering, betydelig kontinuerlig strøm og kompakt kortmontering.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 24 A kontinuerlig afløbsstrøm for betydelig belastningshåndtering
• Rds(on) 0,145 Ω reducerer ledningstab under belastning
• 250 W maksimal tab for høj effekt termisk kapacitet
• Vf 1,2 V fremadgående fald minimerer diodeledningstab
• Gate-opladning 122 nC understøtter forudsigelig koblingsydelse
• 24 A kontinuerlig afløbsstrøm for betydelig belastningshåndtering
• Rds(on) 0,145 Ω reducerer ledningstab under belastning
• 250 W maksimal tab for høj effekt termisk kapacitet
• Vf 1,2 V fremadgående fald minimerer diodeledningstab
• Gate-opladning 122 nC understøtter forudsigelig koblingsydelse
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industrielle motordrevskiftetrin
• Anvendes sammen med LED-drivere, der kræver højspændingshåndtering
• Kan bruges til effektfaktorkorrektion af frontender
• Velegnet til inverter og UPS primære koblingselementer
• Ideel til industrielle motordrevskiftetrin
• Anvendes sammen med LED-drivere, der kræver højspændingshåndtering
• Kan bruges til effektfaktorkorrektion af frontender
• Velegnet til inverter og UPS primære koblingselementer
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under designet?
Enheden må ikke drives ud over en maksimal gate-til-kilde-spænding på 30 V for at forhindre gate-oxid-belastning.
Hvordan påvirker det termiske miljø kontinuerlig strømkapacitet?
Den specificerede kontinuerlige afløbsstrøm forudsætter tilstrækkelig termisk styring
uden tilstrækkelig varmeafledning eller termisk ledning til printkort, reduceres den effektive strømkapacitet, før 250 W tabsgrænse nås.
Hvilken monteringsmetode kræves der til printkortintegration?
Den leveres i en TO-263-pakke, der er beregnet til overflademontering, og den skal loddes til et kortpudelayout, der giver termisk ledning til kobberpladen.
Hvilke ekstreme omgivelsestemperaturer kan enheden tolerere under drift?
Enheden er normeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor temperaturvariation.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 24 A 650 V TO-263, E
- Vishay N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 15 A 600 V TO-263, E
- Vishay N-Kanal 22 A 600 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 32 A 650 V Forbedring PowerPAK, E