Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 24 A 650 V, 3 Ben, TO-263, E
- RS-varenummer:
- 256-7413
- Producentens varenummer:
- SIHB24N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 44,51
(ekskl. moms)
Kr. 55,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 979 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 44,51 |
| 10 - 24 | Kr. 40,09 |
| 25 - 99 | Kr. 38,00 |
| 100 - 499 | Kr. 33,51 |
| 500 + | Kr. 28,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7413
- Producentens varenummer:
- SIHB24N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.145Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 122nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.145Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 122nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 24 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHB24N65E-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i elektroniske og industrielle systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en overflademonteret TO-263-pakke, der er velegnet til integration på befolkede enheder, hvor forhøjet spændingshåndtering er påkrævet.
Egenskaber og fordele:
• 650 V maksimal drain-source-spænding, der muliggør højspændingsswitching
• 24 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter betydelig belastningshåndtering
• 0,145 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 250 W effekttab giver mulighed for vedvarende termisk belastning
• 122 nC typisk portladning til forudsigelige krav til portdrev
• 30 V gate-source-klassificering, der giver en bred gate-drive-margen
• 24 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter betydelig belastningshåndtering
• 0,145 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 250 W effekttab giver mulighed for vedvarende termisk belastning
• 122 nC typisk portladning til forudsigelige krav til portdrev
• 30 V gate-source-klassificering, der giver en bred gate-drive-margen
Anvendelser
• Velegnet til SMPS-primærsidekobling i højspændingsforsyninger
• Ideel til industrielle motordrev, frontend-kontakter
• Anvendes til højspændings DC-DC-konvertering i automatiseringssystemer
• Kan bruges til effekttrinkontakter i svejsnings- eller varmekontrollere
• Ideel til industrielle motordrev, frontend-kontakter
• Anvendes til højspændings DC-DC-konvertering i automatiseringssystemer
• Kan bruges til effekttrinkontakter i svejsnings- eller varmekontrollere
Hvilke termiske grænser skal jeg overveje ved kraftig drift?
Enheden er klassificeret til drift op til +150 °C samletemperatur og ned til -55 °C, så termisk styring som f. eks. passende kølelegeme eller printkobberområde er nødvendig for at opretholde sikre samletemperaturer ved høj effekttab.
Hvordan påvirker gate-ladningen valg af drevkredsløb?
Med en typisk gate-ladning på 122 nC ved den specificerede gate-spænding skal drevkredsløb forsyne og sænke tilstrækkelig strøm for at opnå den krævede skiftehastighed under hensyntagen til skiftetab og driver-effektkapacitet.
Hvilke monteringshensyn er der behov for for monteringspålidelighed?
Den leveres i en TO-263 overflademonteret pakke med tre ben, så standard reflow-loddeprocesser og korrekt paddesign bør bruges til at sikre mekanisk og termisk forbindelse.
Hvilken miljø- eller reguleringsattribut er inkluderet?
Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket angiver, at den opfylder de specificerede begrænsninger for farlige stoffer.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 24 A 650 V, TO-263
- Vishay N-kanal-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-263, E Series
- Vishay Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-263, SIHB
- Vishay Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-263, E
- Infineon Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Vishay Type N-Kanal 46 A 650 V Udtømning TO-263, EF AEC-Q101
- Vishay N-kanal 90 A 200 V TO-263
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101