Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V, TO-252, HEXFET Nej IRFR7446TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-5883
- Producentens varenummer:
- IRFR7446TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 37,21
(ekskl. moms)
Kr. 46,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.405 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,442 | Kr. 37,21 |
| 50 - 120 | Kr. 6,776 | Kr. 33,88 |
| 125 - 245 | Kr. 6,328 | Kr. 31,64 |
| 250 - 495 | Kr. 5,88 | Kr. 29,40 |
| 500 + | Kr. 5,446 | Kr. 27,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5883
- Producentens varenummer:
- IRFR7446TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.9mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 98W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 98W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET forbedrer gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed, og den bruges til OR-ing og redundante effektkontakter og DC/DC og AC/DC-konvertere, DC/AC-invertere.
Fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA
Forbedret husdiode dv/dt og dI/dt kapacitet
Blyfri
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V HEXFET IRFR7446TRPBF
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V HEXFET IRFB7440PBF
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V D2PAK, HEXFET IRF4104SPBF
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V HEXFET IRFR024NTRPBF
- Infineon N-Kanal 33 A 150 V HEXFET IRFR4615TRLPBF
- Infineon N-Kanal 42 A 100 V HEXFET IRFR3710ZTRPBF
- Infineon N-Kanal 110 A 60 V HEXFET IRFR7540TRPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V HEXFET IRFS3306TRLPBF
