Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 100 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9404
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-538
- Producentens varenummer:
- IRFR3410TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 17,65
(ekskl. moms)
Kr. 22,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.390 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 3,53 | Kr. 17,65 |
| 50 - 120 | Kr. 3,172 | Kr. 15,86 |
| 125 - 245 | Kr. 2,962 | Kr. 14,81 |
| 250 - 495 | Kr. 2,768 | Kr. 13,84 |
| 500 + | Kr. 2,544 | Kr. 12,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9404
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-538
- Producentens varenummer:
- IRFR3410TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 39mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 39mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFR-serien er 100 V enkelt n-kanals IR-mosfet i et D Pak-hus. IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere et bredt udvalg af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningsomskiftere samt batteridrevne anvendelser. Enhederne kan leveres i en række overflademonterede og hulmonteringshuse med industristandarder for let design.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Hus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 31 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 100 V Forbedring HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 61 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 90 A 2.2 V HEXFET
