Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 7.863,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.828,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 15.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 2,621Kr. 7.863,00
6000 +Kr. 2,49Kr. 7.470,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-3105
Producentens varenummer:
IRFR3410TRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

31A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

31Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

2.39 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Højde

6.22mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET-serien enkelt N-kanal Power MOSFET integreret med DPAK (TO-252) hus. Denne MOSFET bruges primært i højfrekvente DC-DC-konvertere.

I overensstemmelse med RoHS

175 °C driftstemperatur

Hurtigt skift

Relaterede links