Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 100 V Forbedring, TO-252, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 8.874,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.094,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 15.000 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 2,958Kr. 8.874,00
6000 +Kr. 2,811Kr. 8.433,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-3105
Producentens varenummer:
IRFR3410TRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

31A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

31Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

6.22mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Bredde

2.39 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET-serien enkelt N-kanal Power MOSFET integreret med DPAK (TO-252) hus. Denne MOSFET bruges primært i højfrekvente DC-DC-konvertere.

I overensstemmelse med RoHS

175 °C driftstemperatur

Hurtigt skift

Relaterede links