Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 99,22

(ekskl. moms)

Kr. 124,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 17.640 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 4,961Kr. 99,22

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3106
Elfa Distrelec varenummer:
304-39-421
Producentens varenummer:
IRFR3410TRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

31A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

31Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Højde

6.22mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET-serien enkelt N-kanal Power MOSFET integreret med DPAK (TO-252) hus. Denne MOSFET bruges primært i højfrekvente DC-DC-konvertere.

I overensstemmelse med RoHS

175 °C driftstemperatur

Hurtigt skift

Relaterede links