Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3106
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-421
- Producentens varenummer:
- IRFR3410TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 99,22
(ekskl. moms)
Kr. 124,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 8.640 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 4,961 | Kr. 99,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3106
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-421
- Producentens varenummer:
- IRFR3410TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 31Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 31Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-serien enkelt N-kanal Power MOSFET integreret med DPAK (TO-252) hus. Denne MOSFET bruges primært i højfrekvente DC-DC-konvertere.
I overensstemmelse med RoHS
175 °C driftstemperatur
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 31 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 100 V HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring IPD
- Infineon Type N-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 45 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET