Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 100 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9403
- Producentens varenummer:
- IRFR3410TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 4.776,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.970,00
(inkl. moms)
Tilføj 2000 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | Kr. 2,388 | Kr. 4.776,00 |
| 4000 + | Kr. 2,268 | Kr. 4.536,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9403
- Producentens varenummer:
- IRFR3410TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 39mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 39mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFR-serien er 100 V enkelt n-kanals IR-mosfet i et D Pak-hus. IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere et bredt udvalg af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningsomskiftere samt batteridrevne anvendelser. Enhederne kan leveres i en række overflademonterede og hulmonteringshuse med industristandarder for let design.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Hus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 31 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 100 V Forbedring HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 61 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 90 A 2.2 V HEXFET
