Infineon Type N-Kanal, MOSFET, -7.4 A -12 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9308
- Producentens varenummer:
- IRF7329TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 41,29
(ekskl. moms)
Kr. 51,61
(inkl. moms)
Tilføj 65 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 3.395 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 8,258 | Kr. 41,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9308
- Producentens varenummer:
- IRF7329TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -7.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -12V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 199mΩ | |
| Portkildespænding maks. | ±8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -7.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds -12V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 199mΩ | ||
Portkildespænding maks. ±8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er -12 V dobbelt p-kanals HEXFET-effektmosfet i et SO 8-hus.
I overensstemmelse med RoHS
Lav RDS (til)
Dobbelt P-kanal Mosfet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal -7.4 A -12 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -8 A -30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -9.2 A -30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.7 A 200 V SO-8, HEXFET