Infineon N-Kanal, MOSFET, 10 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9321
- Producentens varenummer:
- IRF7854TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 18.676,00
(ekskl. moms)
Kr. 23.344,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 4,669 | Kr. 18.676,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9321
- Producentens varenummer:
- IRF7854TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 80 V n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et SO 8-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 10 A 80 V SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 57 A 100 V HEXFET
- Infineon 2 N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal -9.2 A -30 V SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal -9 A 20 V SO-8, HEXFET