Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 80 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET Nej IRF7854TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9322
- Producentens varenummer:
- IRF7854TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 32,24
(ekskl. moms)
Kr. 40,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.265 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,448 | Kr. 32,24 |
| 50 - 120 | Kr. 5,356 | Kr. 26,78 |
| 125 - 245 | Kr. 5,026 | Kr. 25,13 |
| 250 - 495 | Kr. 4,638 | Kr. 23,19 |
| 500 + | Kr. 3,56 | Kr. 17,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9322
- Producentens varenummer:
- IRF7854TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.4mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.4mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 80 V n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et SO 8-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 10 A 80 V HEXFET IRF7854TRPBF
- Infineon N-Kanal 10 A 40 V HEXFET IRF7470TRPBF
- Infineon N-Kanal 12 A 30 V HEXFET IRF9388TRPBF
- Infineon N-Kanal 10 SO-8, HEXFET IRF6644TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF7329TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF9393TRPBF
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V HEXFET IRF8714TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 A 20 V HEXFET IRF7324TRPBF
