Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 80 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9322
- Producentens varenummer:
- IRF7854TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 20,46
(ekskl. moms)
Kr. 25,575
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.260 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 4,092 | Kr. 20,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9322
- Producentens varenummer:
- IRF7854TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.4mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.4mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 80 V n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et SO 8-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 10 A 80 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -8 A -30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 14 A 30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V SO-8, HEXFET
