Infineon Type N-Kanal, MOSFET, -9.2 A -30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9331
- Producentens varenummer:
- IRF9358TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 12,43
(ekskl. moms)
Kr. 15,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 675 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 2,486 | Kr. 12,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9331
- Producentens varenummer:
- IRF9358TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -9.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23.8mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -9.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23.8mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er -30 V dobbelt p-kanals HEXFET-effektmosfet i et SO 8-hus.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Optimeret til 4,5 V gate-drevspænding (kaldet logikniveau)
Kan drives ved 2,5 V gate-drevspænding (kaldet super logisk niveau)
Reduceret konstruktionskompleksitet i høj sidekonfiguration
Nemmere interface til mikrokontroller
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal -9.2 A -30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.7 A 200 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 14 A 30 V SO-8, HEXFET