Infineon Type N-Kanal, MOSFET, -9.2 A -30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET Nej IRF9358TRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 49,46

(ekskl. moms)

Kr. 61,825

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 705 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 9,892Kr. 49,46
50 - 120Kr. 8,512Kr. 42,56
125 - 245Kr. 7,914Kr. 39,57
250 - 495Kr. 6,448Kr. 32,24
500 +Kr. 4,458Kr. 22,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-9331
Producentens varenummer:
IRF9358TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-9.2A

Drain source spænding maks. Vds

-30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SO-8

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

23.8mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRF-serien er -30 V dobbelt p-kanals HEXFET-effektmosfet i et SO 8-hus.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Optimeret til 4,5 V gate-drevspænding (kaldet logikniveau)

Kan drives ved 2,5 V gate-drevspænding (kaldet super logisk niveau)

Reduceret konstruktionskompleksitet i høj sidekonfiguration

Nemmere interface til mikrokontroller

Relaterede links