Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-varenummer:
- 258-0710
- Producentens varenummer:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 19,60
(ekskl. moms)
Kr. 24,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.730 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 9,80 | Kr. 19,60 |
| 20 - 48 | Kr. 8,715 | Kr. 17,43 |
| 50 - 98 | Kr. 8,115 | Kr. 16,23 |
| 100 - 198 | Kr. 7,63 | Kr. 15,26 |
| 200 + | Kr. 7,03 | Kr. 14,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-0710
- Producentens varenummer:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 158A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.78V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 158A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.78V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 6 Power MOSFET 40 V serien er optimeret til en lang række anvendelser og kredsløb, f.eks. synkron ensretning i switch-mode strømforsyninger i servere, stationære pc'er, trådløse opladere, hurtige opladere og ORing-kredsløb. Forbedringer i modstand i tændt tilstand gør det muligt for designere at øge effektiviteten, hvilket muliggør lettere termisk design og mindre parallel, hvilket fører til reduktion af systemomkostninger.
Højeste systemeffektivitet
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed
Meget lav overspænding
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 158 A 40 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 25 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 80 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 123 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 102 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 61 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 7 A 200 V N TSDSON, BSZ