Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ Nej BSZ018N04LS6ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 25,35

(ekskl. moms)

Kr. 31,688

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.780 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 12,675Kr. 25,35
20 - 48Kr. 11,33Kr. 22,66
50 - 98Kr. 10,51Kr. 21,02
100 - 198Kr. 9,875Kr. 19,75
200 +Kr. 9,165Kr. 18,33

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-0710
Producentens varenummer:
BSZ018N04LS6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

158A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

BSZ

Emballagetype

TSDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.7mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

31nC

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.78V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 6 Power MOSFET 40 V serien er optimeret til en lang række anvendelser og kredsløb, f.eks. synkron ensretning i switch-mode strømforsyninger i servere, stationære pc'er, trådløse opladere, hurtige opladere og ORing-kredsløb. Forbedringer i modstand i tændt tilstand gør det muligt for designere at øge effektiviteten, hvilket muliggør lettere termisk design og mindre parallel, hvilket fører til reduktion af systemomkostninger.

Højeste systemeffektivitet

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Meget lav overspænding

Relaterede links