Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 166 A 80 V N, 3 Ben, TO-263, iPB Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 10.690,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.360,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 10,69Kr. 10.690,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3788
Producentens varenummer:
IPB024N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

166A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

iPB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.4mΩ

Kanalform

N

Effektafsættelse maks. Pd

214W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

99nC

Gennemgangsspænding Vf

0.92V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 80 V industriel effekt MOSFET giver en RDS(on) reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er velegnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikations- og serverstrømforsyninger. Desuden kan de også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og adaptere.

Optimeret til synkron ensretning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Relaterede links